热丰网配资攻克异质异构三维集成瓶颈，Micro-LED光电整合圭臬工艺平台建成

近日，苏州汉骅半导体有限公司基于8寸硅基氮化镓（GaN）LED外脱期间与自主无损去硅工艺，在“高出摩尔 GaN Plus”平台上，收效建成与8寸CMOS半导体工艺高度兼容的Micro-LED圭臬工艺量产平台，全面和会氮化镓外延、无损去硅、薄膜集成至CMOS工艺、微袒露器件全进程链路，冲破Micro-LED产业化中枢期间瓶颈，为AR/VR等近眼袒露范畴化讹诈奠定环节基础。

氮化镓四肢第三代半导体中枢材料，是Micro-LED微袒露期间的环节支捏。但氮化镓发光单位与硅基CMOS运转电路的高效集成困难，始终制约AR/VR等近眼袒露居品生意化程度，其骨子是不同材料体系间的三维异构集成期间壁垒。

汉骅半导体这次建成的8寸圭臬工艺平台，中枢冲破在于买通材料与工艺的“异构集成”通谈。依托自主研发的晶圆级无损去硅期间，团队竣事8寸硅片上氮化镓薄膜竣工剥离与精确更动，工艺窗口全面临标主流8寸CMOS产线圭臬，竣事发光阵列与运转芯片的晶圆级键合及协同制造。早在2025年，公司已竣事3.75微米间距混杂键合量产，北京最大配资公司键合制品率超95%，为高密度微袒露阵列范畴化制造提供中枢工艺保险。

当今，该平台已具备红、蓝、绿多波长发光结构工艺才智，可支捏超高像素密度微袒露阵列制备，粗莽近眼袒露、光互联、数字车灯、AI电源解决等前沿讹诈中枢器件需求。平台面向产业绽放代工与阿谀缔造业绩，提供类半导体工艺联想套件（PDK）圭臬化接口，隐蔽联想、考据至量产全表情协同立异。

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四肢长三角国创中心首个“拨投结合”样式支捏的要紧面孔，汉骅半导体自2017年深耕异质异构集成边界，领有国内惟一“GaN Plus 3DIC”全进程工艺平台。这次8寸硅基氮化镓Micro-LED圭臬工艺平台落地，不仅为国内化合物半导体与集成电路异质集成提供可复制期间旅途，更契合后摩尔期间系统级集成发展见解，为下一代东谈主机交互终局环节部件国产化筑牢工艺根基。

将来，该平台将捏续向更高像素密度、更小像素尺寸迭代热丰网配资，探索多波长外延与色调养交融的全色有诡计，进一步鞭策Micro-LED在浪掷电子、车载袒露、特种讹诈等边界范畴化落地。

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